gk02f119场管参数？
8N60T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管 采用平面VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该管可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。 8A，600V，RDS（on）＝0.96Ω＠VGS＝10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了dv／dt 能力
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gk02f119场管参数？
8N60T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管 采用平面VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该管可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。 8A，600V，RDS（on）＝0.96Ω＠VGS＝10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了dv／dt 能力